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宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究

时间:2017年07月07日 信息来源:《航天器环境工程》 点击: 【字体:

摘要:文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律.研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正.根据试验数据,给出了经验的修正系数.

单位:中国航天宇航元器件工程中心

链接:http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_htqhjgc201701014.aspx

(作者:李铮 于庆奎 罗磊 孙毅 梅博 唐民)
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